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DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM系列内存产品，与DDR2 SDRAM相比，可提供更高的运行效率和更低的电压。
DDR3技术简介
为了更省电，传输效率更快，DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口，工作I/O电压为1.5V，采用CSP和FBGA封装。除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS和AL控制方式外，还增加了更复杂的CWD、复位、ZQ、SRT和RASR功能。
DDR3存储器的技术改进
逻辑存储体数量：DDR2 SDRAM有4个存储体和8个存储体，是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能是从2Gb的容量起步，所以初期的逻辑库是8个，也为未来的16个逻辑库做好了准备。
封装：DDR3有一些新特性，所以管脚会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装，16位芯片采用96引脚FBGA封装，DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。
突发长度：因为DDR3的预取是8 ^ 8位，所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=8由BL=4读操作和BL=4写操作合成。
寻址时序：DDR3的延迟在5-11之间，附加延迟(al)的设计也有所改变。
降低功耗：DDR3在高带宽的同时，可以降低功耗，核心工作电压从1.8V降低到1.5V，相关数据预测DDR3将比目前的DDR2节省30%的功耗。
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